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                先进材料表征方法

                 

                X射线能谱分析(EDS) 聚焦离子束分析(FIB) 俄歇电子能谱分析(AES) X射线光电子能谱分析(XPS)
                动态二次离子质谱分析(D-SIMS) 飞行时间二次离子「质谱分析(TOF-SIMS)

                 

                表面開天斧元素分析

                 

                1.俄歇电子能谱技术(AES)

                俄歇电子能谱技术(Auger electron spectroscopy,简称AES),是一种表面科学和材料科学的分析技术,因检测由俄歇效应产生的俄歇电子信号进行分析而命名。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低實力能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逸出,这一连串事件称为俄歇效应,而逃脱出来的电子称为俄歇电子,通过检测俄歇懇請大家支持下电子的能量和数量来进行定性確實是很強大定量分析。AES应用于鉴定样品表面的化学性质及组成的分析,其特每次都怕我暗中使詐点在俄歇电子来极表面甚至单个原子层,仅带出表面的化学信息,具有分析区域小、分析深度浅和不破坏样品的特点還有一件在花娘手上,广泛应用于材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。

                 

                2. 俄歇电子能谱分析(AES)可 什么为客户解决的产品质量问题

                (1)当产品表面存在微▽小的异物,而常规的成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析,可选择AES进行分析,AES能分析≥20nm直径的青姣愕然异物成分,且异物的厚度∑不受限制(能达到单个原子层厚度,0.5nm)。

                (2)当产品表面膜层太薄,无法使用常那么就把那乾坤布袋認主规测试进行厚度测量,可选择AES进行分析,利用AES的深度溅射功能测试≥3nm膜厚厚度。

                (3)当产品表面有←多层薄膜,需测量各层膜厚及成分,利用D-SIMS结合AES能准确测定各层薄膜厚度及组成成分。

                 

                3. 俄歇电子能谱分析(AES)注意事项

                (1)样品最大规格尺寸为1×1×0.5cm,当样品尺切記一定要推薦下寸过大需切割取样。

                (2)取样的时候避免手和取样工具接 笑了触到需要测试的位置,取下样品后使用真空包装或其他能隔离外界环境太上長老轟了過去的包装, 避免外来污染影响分析结果。

                (3)由于AES测试深度沒想到你一個不過結丹期太浅,无法对样品喷金后再测试,所以绝缘的样品不能测试,只能测试导电性一手接過戰書较好的样品。

                (4)AES元素分析范围Li-U,只能测试无机物质,不能雖然身為敵人测试有机物物质,检出限0.1%。

                 

                4.应用实例

                样品信息:样品为客户端送检LED碎片,客户端反映LED碎片上Pad表面存在污染物,要求√分析污染物的类型。

                失效样品确认:将LED碎片放㊣ 在金相显微镜下观察,寻找被污染第五十二的Pad,通过观察,发现Pad表面较多小黑点。

                 

                 

                俄歇电子能谱★仪( AES)分析:对被污染的Pad表面进行分析,结果如這里像是一個廢墟下图,位置1为污染位置,位置2为未污染位置。

                结论:通过未污染位置和污染位置对比分析,发现污染位ζ 置主要为含K和S类物质,在未污染位置只发现S和O,推断污染緩緩轉過身去位置存在K离子污染,并接触含S类介质,共同作用形成黑色的污染物。

                 

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