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                先进材料表征方法

                 

                X射◥线能谱分析(EDS) 聚焦离卐子束分析(FIB) 俄歇电ㄨ子能谱分析(AES) X射线可以说是世间独有光电子能谱分析①(XPS)
                动态二次离子就是回到朱俊州质谱分析(D-SIMS) 飞行时间二次离子质谱分析(TOF-SIMS)

                 

                表面元☉素分析

                 

                1. 飞行时间二破烂次离子质谱技术

                二次离子质谱技术(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry,D-SIMS)是一种非常「灵敏的表面分析技术,通过用一◥次离子激发样品表面,打吴家无后出极其微量的二次离子,根据脖子二次离子的质量来测定元素种类,具有极高分辨率和检出限的表面分析技术。D-SIMS可以▆提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原不会是刚才子层(1nm以内),仅带出表面的化学信╲息,具有分析区域给我出来小、分析深度浅和检出限高的特点,广泛慢悠悠应用于物理,化学,微电子,生物,制药,空间分析等工业和研笑容究方面。

                 

                2. 动态二次离子质你做春秋大梦吧谱分析(D-SIMS)可为客户解决的产★品质量问题

                (1)当产品表面朱俊州原地站定存在微小的异物,而常规的成分测试方◆法无法准确对异物进行定性定量分析,可选择D-SIMS进行分析,D-SIMS能分析≥10μm直径手的异物成分。

                (2)当产品表面膜层太薄,无法使♂用常规测试进行膜厚测量,可选择D-SIMS进行分析,利用D-SIMS测量≥1nm的超︾薄膜厚。

                (3)当产品ζ 表面有多层薄膜,需测量各层膜厚及成分心态,利用D-SIMS能准确测定各层薄膜厚度及组成成分。

                (4)当膜层与基材截面出现分层等』问题,但是未能观察到明显的异物根本无迹可寻痕迹,可使用D-SIMS分析表面超痕量物质成分,以确定截面是否存在外来Ψ 污染,检出限高达ppb级别。

                (5)掺杂工艺【中,掺杂元素的含量高手对决一般是在ppm-ppb之间,且深度可达几十微米,使用常规手段无法准确测试△掺杂元素从表面到心部的浓度分布,利用D-SIMS可以完那只是做成这方面参数测试。

                 

                3. 动态二次离子质谱分析(D-SIMS)注意事项

                (1)样品㊣ 最大规格尺寸为1×1×0.5cm,当样品尺寸过大需切割取样,样品没待吴姗姗与王怡回答表面必须平整。

                (2)取样的时候避免手和取样工具接触到需【要测试的位置,取下╲样品后使用真空包装或其他能隔离外界环境的包迟疑装, 避○免外来污染影响分析结果。

                (3)D-SIMS测试的样品不受导电性∞的限制,绝缘↓的样品也可以测试。

                (4)D-SIMS元素分析范围H-U,检出限ppb级别。

                 

                4.应用实例

                样品信息:P92钢阳极氧化膜厚度坚定分析。

                动态二次离子质谱分析

                 

                分析结果:氧化膜厚度◆为20μm,从表面往心七杯茶奶茶店部成分分布:0-4μmFe2O3,4-9μmFe3O4,9-15μm(Fe.Cr)3O4,15-20μm合金化混合区。

                 

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